RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 15 V |
FET 技术 | JUNCTION |
最高频带 | L BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 83.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved