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2N6898TX

产品描述25A, 100V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小179KB,共4页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
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2N6898TX概述

25A, 100V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

2N6898TX规格参数

参数名称属性值
Objectid1441349063
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)500 pF
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)60 A
认证状态Not Qualified
参考标准MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)650 ns
最大开启时间(吨)300 ns

 
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