电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2N6770

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,12A I(D),TO-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小253KB,共4页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
下载文档 详细参数 全文预览

2N6770在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
2N6770 - - 点击查看 点击购买

2N6770概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,12A I(D),TO-3

2N6770规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101422217
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 654  852  1244  1424  1571 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved