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2N4416A-TO-72

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, ROHS COMPLIANT, METAL PACKAGE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小444KB,共11页
制造商Linear Integrated Systems
标准  
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2N4416A-TO-72概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, ROHS COMPLIANT, METAL PACKAGE-4

2N4416A-TO-72规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid2139165373
零件包装代码TO-72
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)4 pF
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-72
JESD-30 代码O-MBCY-W4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度135 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)10 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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2N/SST4416 2N4416A
Linear Integrated Systems
FEATURES
Direct Replacement For SILICONIX 2N/SST4416 & 2N4416A
VERY LOW NOISE FIGURE (400 MHz)
EXCEPTIONAL GAIN (400 MHz)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
@ 25 °C (unless otherwise stated)
Maximum Temperatures
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Power Dissipation
Continuous Power Dissipation
Maximum Currents
Gate Current
Maximum Voltages
Gate to Drain or Gate to Source LS4416
Gate to Drain or Gate to Source LS4416A
-30V
-35V
*Optional Package For 2N4416
10mA
300mW
-65 to +200 °C
-55 to +135 °C
4 dB (max)
10 dB (min)
2N SERIES
2N SERIES*
SST SERIES
SOT-23
TOP VIEW
D
S D G
1 2 3
S
1
4
1
3
N-CHANNEL JFET
HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
TO-92
TO-72
BOTTOM VIEW
BOTTOM VIEW
D
2
3
G
G
S
2
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)
SYMBOL
BV
GSS
V
GS(off)
I
DSS
I
GSS
g
fs
g
os
C
iss
C
rss
C
oss
e
n
CHARACTERISTIC
Gate to Source
Breakdown Voltage
Gate to Source
Cutoff Voltage
2N/SST4416
2N4416A
2N/SST4416
2N4416A
2N
SST
4500
-2.5
5
MIN
-30
-35
-6
-6
15
-0.1
-1.0
7500
50
0.8
4
2
6
nV/√Hz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
f
= 1kHz
pF
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
f
= 1MHz
mA
nA
µS
V
V
DS
= 15V, I
D
= 1nA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
f
= 1kHz
TYP
MAX UNITS
CONDITIONS
I
G
= -1µA, V
DS
= 0V
Gate to Source Saturation Current
Gate Leakage Current
Forward Transconductance
Output Conductance
Input Capacitance
2
Reverse Transfer Capacitance
2
Output Capacitance
2
Equivalent Input Noise Voltage
Linear Integrated Systems
• 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261
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