Small Signal Bipolar Transistor,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| Objectid | 145230485210 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| YTEOL | 5.5 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量 | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
| 最大降落时间(tf) | 30 ns |
| JEDEC-95代码 | TO-39 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 0.6 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3 W |
| 参考标准 | IATF 16949 |
| 最大上升时间(tr) | 40 ns |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
| 最大关闭时间(toff) | 100 ns |
| 最大开启时间(吨) | 45 ns |
| VCEsat-Max | 1.6 V |
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