IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT AND,CMOS, RAD HARD,DIP,14PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | AND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 包装方法 | RAIL |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 7.5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| Base Number Matches | 1 |
| 54ACTQ08DMQB-RH | 54ACTQ08FMQB-RH | 54ACTQ08LMQB-RH | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT AND,CMOS, RAD HARD,DIP,14PIN,CERAMIC | IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT AND,CMOS, RAD HARD,FP,14PIN,CERAMIC | 54ACTQ08LMQB-RH |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | DFP, FL14,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 | R-XDFP-F14 | S-XQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | AND GATE | AND GATE | AND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A | 0.024 A | 0.024 A |
| 端子数量 | 14 | 14 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DFP | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | FL14,.3 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | FLATPACK | CHIP CARRIER |
| 包装方法 | RAIL | RAIL | RAIL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | - | 7.5 ns | 7.5 ns |
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