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IS61QDPB42M36A1-400M3

产品描述DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165
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文件大小699KB,共33页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS61QDPB42M36A1-400M3概述

DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165

IS61QDPB42M36A1-400M3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1171553739
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China, Taiwan
ECCN代码3A991.B.2.A
YTEOL7.3
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.32 A
最小待机电流1.71 V
最大压摆率1 mA
最大供电电压 (Vsup)1.89 V
最小供电电压 (Vsup)1.71 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度15 mm
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