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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS61QDPB41M36A2-450M3L-TR
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IS61QDPB41M36A2-450M3L-TR

产品描述Standard SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
产品类别存储    存储   
文件大小546KB，共35页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

IS61QDPB41M36A2-450M3L-TR概述

Standard SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165

IS61QDPB41M36A2-450M3L-TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid113350541
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)450 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度36
端子数量165
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.34 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率1.1 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM

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