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IS61DDPB21M18C2-450M3L

产品描述DDR SRAM, 1MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小880KB,共31页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS61DDPB21M18C2-450M3L概述

DDR SRAM, 1MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165

IS61DDPB21M18C2-450M3L规格参数

参数名称属性值
Objectid8168077085
包装说明LBGA,
Reach Compliance Codeunknown
Country Of OriginMainland China, Taiwan
ECCN代码3A991.B.2.A
Date Of Intro2016-04-13
YTEOL6.7
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.89 V
最小供电电压 (Vsup)1.71 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度15 mm
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