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V59C1512804QEJ19AH

产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60,
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文件大小2MB,共73页
制造商ProMOS Technologies Inc
标准
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V59C1512804QEJ19AH概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60,

V59C1512804QEJ19AH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid114798077
包装说明FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间0.35 ns
最大时钟频率 (fCLK)533 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度4,8
最大待机电流0.02 A
最大压摆率0.225 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

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