Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BCR 164L3 E6327

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BCR 164L3 E6327: 产品描述trans prebias pnp 250mw tslp-3; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小291KB，共10页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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BCR 164L3 E6327概述

trans prebias pnp 250mw tslp-3

BCR 164L3 E6327规格参数

参数名称	属性值
Datasheets
BCR164
Product Photos
TSLP-3-1
Standard Package	15,000
Category	Discrete Semiconductor Products
Family	Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased
系列 Packaging	Tape & Reel (TR)
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequency - Transiti	160MHz
Power - Max	250mW
Mounting Type	Surface Mou
封装 / 箱体 Package / Case	SC-101, SOT-883
Supplier Device Package	PG-TSLP-3
Other Names	BCR164L3E6327XTSP000014869

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BCR164...

PNP Silicon Digital Transistor

•

Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

•

Built in bias resistor (R

= 4.7kΩ ,

= 10kΩ )

BCR164F/L3

BCR164T

EHA07183

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BCR164F*

BCR164L3*

BCR164T*

* Preliminary

Maximum Ratings

Parameter

U6s

1=B

2=E

3=C

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

Symbol

CEO

CBO

EBO

i(on)

tot

Value

100

250

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on voltage

Collector current

Total power dissipation-

BCR164F,

≤

128°C

BCR164L3,

≤

135°C

BCR164T,

≤

109°C

Junction temperature

Storage temperature

stg

150

-65 ... 150

°C

Sep-03-2003

BCR 164L3 E6327相似产品对比

	BCR 164L3 E6327	BCR 164T E6327	BCR 164F E6327
描述	trans prebias pnp 250mw tslp-3	trans prebias pnp 250mw sc75	trans prebias pnp 250mw tsfp-3
Standard Package	15,000	3,000	3,000
Category	Discrete Semiconductor Products	Discrete Semiconductor Products	Discrete Semiconductor Products
Family	Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased	Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased	Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased
系列 Packaging	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	PNP - Pre-Biased	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA	100mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	50V	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	4.7k	4.7k	4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10k	10k	10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V	30 @ 5mA, 5V	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA	300mV @ 500µA, 10mA	300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	100nA (ICBO)	100nA (ICBO)
Frequency - Transiti	160MHz	160MHz	160MHz
Power - Max	250mW	250mW	250mW
Mounting Type	Surface Mou	Surface Mou	Surface Mou
封装 / 箱体 Package / Case	SC-101, SOT-883	SC-75, SOT-416	SOT-723
Supplier Device Package	PG-TSLP-3	PG-SC-75	PG-TSFP-3
Other Names	BCR164L3E6327XTSP000014869	BCR164TE6327XTSP000014817	BCR164FE6327XTSP000014864

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