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RN1113CT(TPL3)

产品描述tran npn cst3 20v 50a
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小175KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1113CT(TPL3)概述

tran npn cst3 20v 50a

RN1113CT(TPL3)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.05 A
最小直流电流增益 (hFE)300
元件数量1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.05 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

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RN1112CT,RN1113CT
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1112CT, RN1113CT
Switching Applications
Inverter Circuit Applications
Interface Circuit Applications
Driver Circuit Applications
1.0±0.05
Unit: mm
0.6±0.05
0.5±0.03
0.25±0.03
Complementary to RN2112CT, RN2113CT
0.25±0.03
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more
compact equipment and save assembly cost.
0.35±0.02
Equivalent Circuit
0.15±0.03
0.65±0.02
0.05±0.03
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
1.BASE
CST3
JEDEC
JEITA
2.EMITTER
3.COLLECOTR
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
20
20
5
50
50
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
TOSHIBA
2-1J1A
Weight: 0.75 mg (typ.)
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e.operatingtemperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Start of commercial production
0.38 +0.02
-0.03
0.05±0.03
2004-10
1
2014-03-01

RN1113CT(TPL3)相似产品对比

RN1113CT(TPL3) RN1112CT(TPL3)
描述 tran npn cst3 20v 50a tran npn cst3 20v 50a
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
最小直流电流增益 (hFE) 300 300
元件数量 1 1
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.05 W 0.05 W
表面贴装 YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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