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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> FMMT597TC
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FMMT597TC

产品描述transistor pnp med pwr sot23-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小94KB，共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
标准  
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FMMT597TC在线购买

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FMMT597TC概述

transistor pnp med pwr sot23-3

FMMT597TC规格参数

参数名称属性值
Datasheets
FMMT597
Product Photos
SOT23
Standard Package10,000
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FamilyTransistors (BJT) - Single
系列
Packaging		Tape & Reel (TR)
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 50mA, 10V
Power - Max500mW
Frequency - Transiti75MHz
Mounting TypeSurface Mou
封装 / 箱体
Package / Case		TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3

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SOT23 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
COMPLEMENTARY TYPE FMMT497
PARTMARKING DETAIL - 597
FMMT597
C
B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Cut-Off Current
Emitter Saturation Voltages
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
-300
-300
-5
-1
-0.2
-200
500
-55 to +150
MAX. UNIT CONDITIONS.
V
V
V
-100
-100
-100
-0.25
-0.25
-1.0
-0.85
100
100
100
75
10
300
nA
nA
nA
V
V
V
V
I
C
=-100
µ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
µ
A
V
CB
=-250V
V
EB
=-4V
V
CES
=-250V
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
I
C
=-100mA,
I
B
=-20mA*
I
C
=-100mA,
I
B
=-20mA*
I
C
=-100mA,V
CE
=-10V*
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-50mA,V
CE
=-10V*
I
C
=-100mA,V
CE
=-10V*
MHz I
C
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
UNIT
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
SYMBOL MIN.
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Base-Emitter Turn-on Voltage
Static Forward Current Transfer Ratio
Transition Frequency
Output Capacitance
V
BE(on)
h
FE
f
T
C
obo
-300
-300
-5
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
3 - 145

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