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BYG80E

产品描述DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共2页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BYG80E概述

DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYG80E规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明R-PDSO-J2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用ULTRA FAST RECOVERY MEDIUM POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-J2
最大非重复峰值正向电流32 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压250 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式J BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

BYG80E相似产品对比

BYG80E BYG80E-T
描述 DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode DIODE 1.5 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 R-PDSO-J2 R-PDSO-J2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 ULTRA FAST RECOVERY MEDIUM POWER ULTRA FAST RECOVERY MEDIUM POWER
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-J2 R-PDSO-J2
最大非重复峰值正向电流 32 A 32 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最大输出电流 1.5 A 1.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 250 V 250 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 J BEND J BEND
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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