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KM4132G512ATQ-10

产品描述Synchronous DRAM, 512KX32, 6ns, CMOS, PQFP100
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共51页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM4132G512ATQ-10概述

Synchronous DRAM, 512KX32, 6ns, CMOS, PQFP100

KM4132G512ATQ-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101314436
包装说明QFP, TQFP100,.7X.9,25
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间6 ns
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码TQFP100,.7X.9,25
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置QUAD
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