K4H511638D-ULB0T,K4H511638D-ULB0T pdf中文资料,K4H511638D-ULB0T引脚图,K4H511638D-ULB0T电路-Datasheet-电子工程世界

K4H511638D-ULB0T: 产品描述Cache DRAM Module, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66; 产品类别存储存储; 文件大小430KB，共24页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4H511638D-ULB0T概述

Cache DRAM Module, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
Objectid	1126059972
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e3
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	CACHE DRAM MODULE
内存宽度	16
湿度敏感等级	1
端子数量	66
字数	33554432 words
字数代码	32000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.345 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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