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S71WS512NC0BFWTE3

产品描述Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA84
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共170页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
标准
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S71WS512NC0BFWTE3概述

Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA84

S71WS512NC0BFWTE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid105514605
包装说明FBGA, BGA84,10X12,32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间80 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B84
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+PSRAM
端子数量84
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA84,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00004 A
最大压摆率0.066 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
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