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BC32816BU

产品描述transistor pnp 25v 800ma TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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BC32816BU概述

transistor pnp 25v 800ma TO-92

BC32816BU规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-92
包装说明LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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BC327/328
BC327/328
Switching and Amplifier Applications
• Suitable for AF-Driver stages and low power output stages
• Complement to BC337/BC338
TO-92
1
1. Collector 2. Base 3. Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Parameter
Collector-Emitter Voltage
: BC327
: BC328
Collector-Emitter Voltage
: BC327
: BC328
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-50
-30
-45
-25
-5
-800
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CEO
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BC327
: BC328
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BC327
: BC328
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
: BC327
: BC328
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Test Condition
I
C
= -10mA, I
B
=0
Min.
-45
-25
I
C
= -0.1mA, V
BE
=0
-50
-30
I
E
= -10µA, I
C
=0
V
CE
= -45V, V
BE
=0
V
CE
= -25V, V
BE
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
V
CE
= -1V, I
C
= -300mA
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
V
CE
= -1V, I
C
= -300mA
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA, f=20MHz
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
100
12
100
40
-5
-2
-2
-100
-100
630
-0.7
-1.2
V
V
MHz
pF
V
V
V
nA
nA
Typ.
Max.
Units
V
V
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
h
FE
Classification
Classification
h
FE1
h
FE2
16
100 ~ 250
60-
25
160 ~ 400
100-
40
250 ~ 630
170-
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, August 2002
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