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2N5101

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小150KB,共1页
制造商General Diode Corp
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2N5101概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN

2N5101规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1221212670
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-609代码e0
最高工作温度175 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)10 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)50 MHz
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