MOSFET N-CH 60V LFPAK56
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | SOP-8, 4 PIN |
| Reach Compliance Code | compli |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 76.5 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 86 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0087 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MO-235 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 346 A |
| 参考标准 | IEC-60134 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| 934069896115 | PSMN7R5-60YLX | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V LFPAK56 | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：86A(Tc) 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道 |
| 包装说明 | SOP-8, 4 PIN | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 |
| Reach Compliance Code | compli | compliant |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 76.5 mJ | 76.5 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 86 A | 86 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0087 Ω | 0.0087 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MO-235 | MO-235 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 | R-PSSO-G4 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 346 A | 346 A |
| 参考标准 | IEC-60134 | IEC-60134 |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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