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71P72804200BQ

产品描述Standard SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
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文件大小228KB,共21页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71P72804200BQ概述

Standard SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165

71P72804200BQ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid109029515
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
端子数量165
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织1MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.335 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.75 mA
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
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