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BC182_D26Z

产品描述transistor npn 50v 100ma TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小24KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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BC182_D26Z概述

transistor npn 50v 100ma TO-92

BC182_D26Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-92
包装说明LEAD FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)80
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz

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BC182L
BC182L
NPN General Purpose Amplifier
• This device is designed for general purpose amplifier application at
collector currents to 100mA.
• Sourced from process 10.
1
TO-92
1. Emitter 2. Collector 3. Base
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
STG
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
- Continuous
Storage Junction Temperature Range
Parameter
Value
50
60
6
100
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
°C
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
I
C
= 2mA, I
B
= 0
I
C
= 10µA, I
E
= 0
I
E
= 100µA, I
C
= 0
V
CB
= 50V, V
BE
= 0
V
EB
= 4V, I
E
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 10µA
V
CE
= 5V, I
C
= 2mA
V
CE
= 5V, I
C
= 100mA
I
C
= 10mA, I
B
= 0.5mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5mA
V
CE
= 5V, I
C
= 2mA
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA, f = 100MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 0, f = 1MHz
V
CE
= 5V, I
C
= 2mA, f = 1KHz
V
CE
= 5V, I
C
= 0.2mA
R
S
= 2KΩ, f = 1KHz, BW = 200Hz
240
0.55
150
5
500
10
dB
40
120
80
Min.
50
60
6
15
15
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
Off Characteristics
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter-Base Leakage Current
On Characteristics
h
FE
DC Current Gain
500
0.25
0.6
1.2
0.7
V
V
V
MHz
pF
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Dynamic Characteristics
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
h
fe
NF
Output Capacitance
Small Signal Current Gain
Noise Figure
Thermal Characteristics
T
A
=25°C unless otherwise noted
Symbol
P
D
R
θJA
R
θJC
Parameter
Total Device Dissipation @T
A
=25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
Max.
350
2.8
357
125
Units
mW
mW/°C
mW/°C
°C/W
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, October 2002

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是否Rohs认证 符合 符合 符合 - -
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild - -
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 - -
包装说明 LEAD FREE PACKAGE-3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 - -
针数 3 3 3 - -
Reach Compliance Code compli unknow unknow - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - -
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A - -
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V - -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - -
最小直流电流增益 (hFE) 80 80 80 - -
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 - -
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 - -
JESD-609代码 e3 e3 e3 - -
元件数量 1 1 1 - -
端子数量 3 3 3 - -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - -
封装形状 ROUND ROUND ROUND - -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE - -
极性/信道类型 NPN NPN NPN - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
表面贴装 NO NO NO - -
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE - -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER - -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON - -
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz 150 MHz - -
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