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BCX70H_D87Z

产品描述transistor npn 45v 200ma sot-23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小73KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准  
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BCX70H_D87Z概述

transistor npn 45v 200ma sot-23

BCX70H_D87Z规格参数

参数名称属性值
Datasheets
BCX70H
Product Photos
SOT-23-3
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 28/May/2008
PCN Design/Specificati
Mold Compound 12/Dec/2007
Standard Package10,000
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FamilyTransistors (BJT) - Single
系列
Packaging
Tape & Reel (TR)
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 2mA, 5V
Power - Max350mW
Frequency - Transiti125MHz
Mounting TypeSurface Mou
封装 / 箱体
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23

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BCX70H
BCX70H
General Purpose Transistor
3
2
1
SOT-23
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Storage Temperature
Parameter
1. Base 2. Emitter 3. Collector
Value
45
45
5
200
350
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°C
Refer to KST3904 for graphs
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
I
EBO
h
FE
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Test Condition
I
C
=2.0mA, I
B
=0
I
E
=1.0µA, I
C
=0
V
CE
=32V, V
BE
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=10µA
V
CE
=5V, I
C
=2.0mA
V
CE
=1V, I
C
=50mA
I
C
=10mA, I
B
=0.25mA
I
C
=50mA, I
B
=1.25mA
I
C
=10mA, I
B
=0.25mA
I
C
=50mA, I
B
=1.25mA
V
CE
=5V, I
C
=2.0mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA, f=100MHz
V
CE
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=5V, I
C
=0.2mA
R
S
=2KΩ, f=1KHz
I
C
=10mA, I
B1
=1.0mA
V
BB
=3.6V, I
B2
=1.0mA
R
1
=R
2
=5KΩ, R
L
=990Ω
0.6
0.7
0.55
125
4.5
6
150
800
20
180
70
Min.
45
5
20
20
310
0.35
0.55
0.85
1.05
0.75
V
V
V
V
V
MHz
pF
dB
ns
ns
Max.
Units
V
V
nA
nA
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
NF
t
ON
t
OFF
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Noise Figure
Turn On Time
Turn Off Time
Marking
AH
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B2, December 2002

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