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K8P5516UZB-EI4E0

产品描述Flash, 16MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共59页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
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K8P5516UZB-EI4E0概述

Flash, 16MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64

K8P5516UZB-EI4E0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1032554186
零件包装代码BGA
包装说明TBGA, BGA64,8X8,40
针数64
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间80 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM/TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B64
JESD-609代码e1
长度13 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模256
端子数量64
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA64,8X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小8/16 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模128K
最大待机电流0.00004 A
最大压摆率0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11 mm

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