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K4S28323LE-HN1H

产品描述Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90
产品类别存储    存储   
文件大小81KB,共10页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4S28323LE-HN1H概述

Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90

K4S28323LE-HN1H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid104351786
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL2
最长访问时间7 ns
最大时钟频率 (fCLK)105 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B90
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
端子数量90
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA90,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
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