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MT36HVS51272Y-80ED1

产品描述DDR DRAM Module, 512MX72, 0.4ns, CMOS, PDMA240,
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文件大小612KB,共14页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT36HVS51272Y-80ED1概述

DDR DRAM Module, 512MX72, 0.4ns, CMOS, PDMA240,

MT36HVS51272Y-80ED1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid108533731
包装说明DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL5.1
最长访问时间0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N240
内存密度38654705664 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
端子数量240
字数536870912 words
字数代码512000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
最大待机电流0.252 A
最大压摆率6.246 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL

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