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IS64WV25616EFBLL-10CT2LA3

产品描述Standard SRAM,
产品类别存储    存储   
文件大小579KB,共21页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS64WV25616EFBLL-10CT2LA3概述

Standard SRAM,

IS64WV25616EFBLL-10CT2LA3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid7248986887
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China, Taiwan
ECCN代码3A991.B.2.A
YTEOL5
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.41 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
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