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IS61NVP25618EC-250B3L

产品描述ZBT SRAM, 256KX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, TFBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共40页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS61NVP25618EC-250B3L概述

ZBT SRAM, 256KX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, TFBGA-165

IS61NVP25618EC-250B3L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1247972115
零件包装代码BGA
包装说明TBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China, Taiwan
ECCN代码3A991.B.2.A
YTEOL5.27
最长访问时间2.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)250 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.08 A
最小待机电流2.37 V
最大压摆率0.235 mA
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度13 mm
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