Flash Memory,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| Objectid | 8311617435 |
| 包装说明 | TBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Mainland China, Taiwan |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Manufacturer | Integrated Silicon Solution Inc. |
| Samacsys Modified On | 2022-09-22 17:50:03 |
| YTEOL | 5.9 |
| 其他特性 | ALSO OPERATES WITH 133MHZ @ 1.65VMIN SUPPLY |
| 备用内存宽度 | 1 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 166 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B24 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 16MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TBGA |
| 封装等效代码 | BGA24,5X5,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 编程电压 | 1.8 V |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000075 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 6 mm |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
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