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IS25WP128F-QBLA3

产品描述Flash Memory,
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共180页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS25WP128F-QBLA3概述

Flash Memory,

IS25WP128F-QBLA3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid8311617422
包装说明SOP,
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China, Taiwan
ECCN代码EAR99
YTEOL5.65
其他特性ALSO OPERATES WITH 133MHZ @ 1.65VMIN SUPPLY
备用内存宽度1
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
数据保留时间-最小值20
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码S-PDSO-G8
长度5.28 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.3
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压1.8 V
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度2.16 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000075 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
类型NOR TYPE
宽度5.28 mm
写保护HARDWARE/SOFTWARE
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