4A, 200V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 1404820612 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | RADIATION HARDENED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 500 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.8 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-205AF |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 参考标准 | MILITARY STANDARD (USA) |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | NOT SPECIFIED |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 160 ns |
| 最大开启时间（吨） | 150 ns |
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