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HGTM12N60D1

产品描述TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,600V V(BR)CES,21A I(C),TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小279KB,共4页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
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HGTM12N60D1概述

TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,600V V(BR)CES,21A I(C),TO-204AA

HGTM12N60D1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101549465
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)21 A
集电极-发射极最大电压600 V
最大降落时间(tf)600 ns
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压25 V
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

 
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