TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,3A I(D),TO-257AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 101423167 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 50 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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