RIAN14LTEB271JHAE,RIAN14LTEB271JHAE pdf中文资料,RIAN14LTEB271JHAE引脚图,RIAN14LTEB271JHAE电路-Datasheet-电子工程世界

RIAN14LTEB271JHAE: 产品描述Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.6W, 270ohm, 100V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 3415,; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小124KB，共2页; 制造商KOA(兴亚)

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RIAN14LTEB271JHAE概述

Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.6W, 270ohm, 100V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 3415,

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转来一个关于ARM9和ARM11的区别: ARM7是冯诺依慢结构ARM9、ARM11是哈佛结构，所以性能要高一点。ARM9和ARM11大多带内存管理器，跑操作系统好一点，ARM7适合裸奔。不跑操作系统，价格低一点的：ARM7、cortex-M3等等。性价比高，可跑也可不跑操作系统的：ARM9、cortex-Rx等等。性能高的，通常要跑操作系统的：ARM10、ARM11、Cortex-A8等等。成熟的：ARM7\ARM9\ARM11。发展趋...; leslie ARM技术

IAR 新版本打开老版本遇到的问题和解决方法: 1.__nounwinddeclaration is incompatible with __nounwind __interwork __softfp unsigned int __iar_builtin_STREXB(unsigned char, unsigned char volatile *)解决方法：右击工程进入options-C/C++Compiler-Preprocessor删除$P...; fish001 微控制器 MCU

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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