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LTC3831EGN

产品描述High Power Synchronous Switching Regulator Controller for DDR Memory Termination
产品类别电源/电源管理    电源电路   
文件大小243KB,共20页
制造商Linear ( ADI )
官网地址http://www.analog.com/cn/index.html
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LTC3831EGN概述

High Power Synchronous Switching Regulator Controller for DDR Memory Termination

LTC3831EGN规格参数

参数名称属性值
Brand NameLinear Technology
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SSOP
包装说明SSOP, SSOP16,.25
针数16
制造商包装代码GN
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
模拟集成电路 - 其他类型SWITCHING CONTROLLER
控制模式VOLTAGE-MODE
控制技术PULSE WIDTH MODULATION
最大输入电压8 V
最小输入电压3 V
标称输入电压5 V
JESD-30 代码R-PDSO-G16
JESD-609代码e0
长度4.9 mm
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量16
最高工作温度85 °C
最低工作温度
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SSOP
封装等效代码SSOP16,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)235
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
表面贴装YES
切换器配置PUSH-PULL
最大切换频率500 kHz
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度3.9116 mm
Base Number Matches1

文档解析

LTC3831 是一款高功率开关稳压器控制器,专为 DDR 内存终止应用而设计。它能够生成输出电压,该电压精确跟踪输入电压的一半或外部参考电压,适用于 SSTL_2 和 SSTL_3 接口标准,确保内存总线的稳定终止。控制器采用同步开关架构,驱动外部 N 沟道 MOSFET,无需使用电流检测电阻,通过 MOSFET 的漏源电阻实现电流感测,简化了电路设计并降低了成本。 该器件支持宽输入电压范围从 3V 到 8V,最大占空比超过 91%,即使在低温条件下也能保持高效运行。频率可编程,从 100kHz 到 500kHz,并支持外部时钟同步,提供灵活性以适应不同应用需求。内置软启动功能,减少启动时的电流冲击,关机电流低于 10μA,有助于节能。 LTC3831 还集成了过温保护机制,防止器件在过热条件下损坏。采用 16 引脚窄 SSOP 封装,适合空间受限的应用场景。典型效率超过 95%,使其成为高功率 DDR 系统的理想选择。

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LTC3831
High Power Synchronous
Switching Regulator Controller
for DDR Memory Termination
FEATURES
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
s
s
s
s
s
High Power Switching Regulator Controller
for DDR Memory Termination
V
OUT
Tracks 1/2 of V
IN
or External V
REF
No Current Sense Resistor Required
Low Input Supply Voltage Range: 3V to 8V
Maximum Duty Cycle > 91% Over Temperature
Drives All N-Channel External MOSFETs
High Efficiency: Over 95% Possible
Programmable Fixed Frequency Operation:
100kHz to 500kHz
External Clock Synchronization Operation
Programmable Soft-Start
Low Shutdown Current: <10µA
Overtemperature Protection
Available in 16-Pin Narrow SSOP Package
The LTC
®
3831 is a high power, high efficiency switching
regulator controller designed for DDR memory termina-
tion. The LTC3831 generates an output voltage equal to
1/2 of an external supply or reference voltage. The LTC3831
uses a synchronous switching architecture with N-chan-
nel MOSFETs. Additionally, the chip senses output cur-
rent through the drain-source resistance of the upper
N-channel FET, providing an adjustable current limit
without a current sense resistor.
The LTC3831 operates with input supply voltage as low as
3V and with a maximum duty cycle of > 91%. It includes a
fixed frequency PWM oscillator for low output ripple
operation. The 200kHz free-running clock frequency can
be externally adjusted or synchronized with an external
signal from 100kHz to above 500kHz. In shutdown mode,
the LTC3831 supply current drops to <10µA.
, LTC and LT are registered trademarks of Linear Technology Corporation.
APPLICATIO S
s
s
s
DDR SDRAM Termination
SSTL_2 Interface
SSTL_3 Interface
TYPICAL APPLICATIO
5V
V
DDQ
2.5V
MBR0530T1
1µF
0.1µF
PV
CC2
V
CC
0.1µF
SS
0.01µF
130k
SHDN
C1
33pF
R
C
15k
C
C
1500pF
PV
CC1
TG
I
MAX
LTC3831 I
FB
FREQSET
SHDN
COMP
BG
PGND
GND
R
+
R
FB
C
IN
: SANYO POSCAP 6TPB330M
C
OUT
: SANYO POSCAP 4TPB470M
Q1, Q2: SILICONIX Si4410DY
Q2
MBRS340T3
1k
0.1µF
L
O
1.2µH
10k
Q1
MBRS340T3
+
C
IN
330µF
×2
EFFICIENCY (%)
+
4.7µF
V
TT
1.25V
±6A
C
OUT
470µF
×3
+
3831 F01
Figure 1. Typical DDR Memory Termination Application
3831f
U
Efficiency vs Load Current
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
3
4
2
LOAD CURRENT (A)
5
6
2831 G01
U
U
T
A
= 25°C
V
IN
= 2.5V
V
OUT
= 1.25V
1

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