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V55C2256164VAK6I

产品描述Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54
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文件大小614KB,共46页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V55C2256164VAK6I概述

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54

V55C2256164VAK6I规格参数

参数名称属性值
Objectid1155475832
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
YTEOL2
最长访问时间5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8,2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.27 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

 
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