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V54C3256164VDC8IPC

产品描述Cache DRAM Module, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54
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文件大小728KB,共56页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V54C3256164VDC8IPC概述

Cache DRAM Module, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54

V54C3256164VDC8IPC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1126060178
包装说明FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间6 ns
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
JESD-609代码e0
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型CACHE DRAM MODULE
内存宽度16
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

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