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V54C3256164VCUE7

产品描述Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54
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文件大小714KB,共50页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V54C3256164VCUE7概述

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54

V54C3256164VCUE7规格参数

参数名称属性值
Objectid1125506053
包装说明TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)143 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度1,2,4,8
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
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