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APTM120U10DAG

产品描述mosfet N-CH 1200v 116a sp6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小217KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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APTM120U10DAG概述

mosfet N-CH 1200v 116a sp6

APTM120U10DAG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数5
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)3200 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)116 A
最大漏极电流 (ID)116 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X5
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3290 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)464 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

 
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