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MEM832VMB-85

产品描述EEPROM, 32KX8, 85ns, Parallel, CMOS, CSIP28, VIL-28
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文件大小949KB,共10页
制造商APTA Group Inc
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MEM832VMB-85概述

EEPROM, 32KX8, 85ns, Parallel, CMOS, CSIP28, VIL-28

MEM832VMB-85规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1154965831
包装说明SIP, DIP28,.1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间85 ns
其他特性WD-MAX; SEATED HGT NOMINAL
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CSIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.56 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SIP
封装等效代码DIP28,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小64 words
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class C
座面最大高度10.7 mm
最大待机电流0.06 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
切换位YES
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)12 ms
如何将12DC转换成220V AC
请各位高手给点建议和方案...
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