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HN2S03T

产品描述high speed switching application
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小146KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN2S03T概述

high speed switching application

HN2S03T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明R-PDSO-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SPEED SWITCHING
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F4
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量4
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流0.05 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.07 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压25 V
最大反向电流0.5 µA
反向测试电压20 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL

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HN2S03T
TOSHIBA Diode
Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
HN2S03T
High Speed Switching Application
1.2±0.05
Two independent diodes are mounted on Thin Extreme Super Mini Quad
package that are suitable for higher mounting densities.
Low forward voltage
Low reverse current
Small total capacitance
: V
F (3)
= 0.50V (typ.)
Unit: mm
0.9±0.05
0.2±0.05
Unit
V
1.2±0.05
: I
R
= 0.5μA (max)
: C
T
= 3.9pF (typ.)
0.8±0.05
1
2
4
3
Maximum (peak) reverse Voltage
Reverse voltage
Maximum (peak) forward current
Average forward current
Surge current (10ms)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
T
j
T
stg
T
opr
25
20
100 *
50 *
1*
70 **
125
−55∼125
−40∼100
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
0.52±0.05
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
TESQ
1.
2.
3.
4.
ANODE1
ANODE2
CATHODE2
CATHODE1
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.5mg(Typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
* : Unit rating. Total rating = Unit rating x 1.5
**: Total rating
Electrical Characteristics
(Q1, Q2 Common, Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
V
F (1)
Forward voltage
V
F (2)
V
F (3)
Reverse current
Total capacitance
I
R
C
T
Test
Circuit
Test Condition
I
F
= 1mA
I
F
= 5mA
I
F
= 50mA
V
R
= 20V
V
R
= 0, f = 1MH
z
Min
Typ.
0.33
0.38
0.50
3.9
Max
0.55
0.5
0.12±0.05
μA
pF
Absolute Maximum Ratings
(Q1, Q2 Common, Ta = 25°C)
1
2007-11-01
对射频传输线了解的请进来
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