PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Micro Electronics |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 140 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
Base Number Matches | 1 |
PN3645 | PN3644 | |
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描述 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
厂商名称 | Micro Electronics | Micro Electronics |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V | 45 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 | O-PBCY-W3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 140 °C | 140 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W | 0.6 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz | 200 MHz |
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