MFR200CBF95-590R,MFR200CBF95-590R pdf中文资料,MFR200CBF95-590R引脚图,MFR200CBF95-590R电路-Datasheet-电子工程世界

MFR200CBF95-590R: 产品描述Fixed Resistor, Metal Film, 2W, 590ohm, 500V, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel,; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小501KB，共51页; 制造商YAGEO(国巨); 官网地址http://www.yageo.com/; 标准

下载文档详细参数全文预览

MFR200CBF95-590R概述

Fixed Resistor, Metal Film, 2W, 590ohm, 500V, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel,

PID调节如何实现无超调高响应速度？: [i=s] 本帖最后由 Tobey 于 2016-10-12 16:43 编辑 [/i]需要通过PID调节对温控系统进行控制，要求是不能出现超调，且达到稳定所需时间为3分钟左右，，，当前调节不仅超调，达到稳定所需时间更是达到6分钟，，，现在打算先解决超调问题，思路是：在调节初期使用比设定值小的某个值作为调节值，之后缓慢增大调节值，直至达到设定值，即在调节过程中，实际调节值缓慢逼近设定值，最终达到设...; Tobey 嵌入式系统

波特率和时间的关系，以及三极管/MOS在通讯接口电平转换的应用问题: 波特率和时间的关系，以及三极管/MOS在通讯接口电平转换的应用问题MCU的串口电压域是3V的，传感器是5V的串口电压域。为了能正常的通讯且考虑成本，没有用TI的sn74lvc2t45、润石的RS0102、瑞盟的MS4553M等那些电平转换芯片。而是用了两个MOS/三极管。我的问题是，串口通讯的波特率或者其他通讯的通讯速率和三极管/MOS管导通速度的关系，如果导通不及时或者延时，可能就会导致数据丢失...; QWE4562009 分立器件

中高压 GaN 器件：纵向还是横向？: 垂直结构通常被认为有利于高电压、高功率器件，因为它便于电流扩散和热管理，并允许在不增大芯片尺寸的情况下实现高电压几乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直结构此外，与GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同质外延层具有更低的位错密度，(VON)是由GaN的大能带隙引起的。先进的sbd是非常可取的，因为它们结合了肖特基样正向特性(具有低VON)和pn样反向特性(峰值电场从表...; 石榴姐 RF/无线

TI公司430例程，有各种模块，好好研读通就入行了: C程序和IAR后缀的都有，可以查看和使用。针对AD 定时器，通信，flash等等，原汁原味的程序好好研读，一定会有收获...; 稻盛和夫单片机

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多