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PR1006GL

产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小60KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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PR1006GL概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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PR1001G/L - PR1007G/L
1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
Features
·
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction
Diffused Junction
Fast Switching for High Efficiency
High Current Capability and Low Forward
Voltage Drop
Surge Overload Rating to 30A Peak
Low Reverse Leakage Current
Plastic Material: UL Flammability
Classification Rating 94V-0
A
B
A
D
DO-41 Plastic
A-405
Min
25.40
4.10
0.53
2.00
Max
¾
5.20
0.64
2.70
C
Mechanical Data
·
·
·
·
·
·
Case: Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Type Number
DO-41 Weight: 0.35 grams (approx.)
A-405 Weight: 0.20 grams (approx.)
Dim
A
B
C
D
Min
25.40
4.06
0.71
2.00
Max
¾
5.21
0.864
2.72
All Dimensions in mm
“GL” Suffix Designates A-405 Package
“G” Suffix Designates DO-41 Package
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@ T
A
= 55°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method)
Forward Voltage Drop
Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time (Note 3)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
@ I
F
= 1.0A
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
Symbol PR1001 PR1002 PR1003 PR1004 PR1005 PR1006 PR1007 Unit
G/GL
G/GL
G/GL
G/GL
G/GL
G/GL
G/GL
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
R
qJA
T
j,
T
STG
150
15
95
-65 to +150
50
35
100
70
200
140
400
280
1.0
30
1.3
5.0
50
250
8
500
600
420
800
560
1000
700
V
V
A
A
V
mA
ns
pF
K/W
°C
Notes:
1. Valid provided that leads are maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Measured with I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A. See figure 5.
DS27001 Rev. D1-2
1 of 2
PR1001G/L - PR1007G/L

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