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BCR 179T E6327

产品描述trans prebias pnp 250mw sc75
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小199KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准  
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BCR 179T E6327概述

trans prebias pnp 250mw sc75

BCR 179T E6327规格参数

参数名称属性值
Datasheets
BCR179 (2006)
Standard Package3,000
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FamilyTransistors (BJT) - Single, Pre-Biased
系列
Packaging
Tape & Reel (TR)
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Frequency - Transiti150MHz
Power - Max250mW
Mounting TypeSurface Mou
封装 / 箱体
Package / Case
SC-75, SOT-416
Supplier Device PackagePG-SC-75
Other NamesBCR179TE6327XTSP000014768

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BCR179...
PNP Silicon Digital Transistor
Switching circuit, inverter, interface circuit,
driver circuit.
Built in bias resistor (R
1
= 10 kΩ)
BCR179F/L3
BCR179T
C
3
R
1
1
B
2
E
EHA07180
Type
BCR179F
BCR179L3
BCR179T
Marking
WWs
WW
WW
1=B
1=B
1=B
Pin Configuration
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Package
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Input forward voltage
Input reverse voltage
Collector current
Total power dissipation
BCR179F,
T
S
128°C
BCR179L3,
T
S
135°C
BCR179T,
T
S
109°C
Junction temperature
Storage temperature
T
j
T
stg
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
i(fwd)
V
i(rev)
I
C
P
tot
250
250
250
150
-65 ... 150
°C
Value
50
50
40
5
100
mA
mW
Unit
V
1
2006-05-10

BCR 179T E6327相似产品对比

BCR 179T E6327 BCR 179L3 E6327
描述 trans prebias pnp 250mw sc75 trans prebias pnp 250mw tslp-3
Standard Package 3,000 15,000
Category Discrete Semiconductor Products Discrete Semiconductor Products
Family Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased
系列
Packaging
Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor Type PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 5V 120 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Frequency - Transiti 150MHz 150MHz
Power - Max 250mW 250mW
Mounting Type Surface Mou Surface Mou
封装 / 箱体
Package / Case
SC-75, SOT-416 SC-101, SOT-883
Supplier Device Package PG-SC-75 PG-TSLP-3
Other Names BCR179TE6327XTSP000014768 BCR179L3E6327XTSP000014872
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