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IDT71V3579YS75BQGI

产品描述128K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
产品类别存储   
文件大小292KB,共22页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT71V3579YS75BQGI概述

128K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100

IDT71V3579YS75BQGI规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量100
最小工作温度0.0 Cel
最大工作温度70 Cel
额定供电电压3.3 V
最小供电/工作电压3.14 V
最大供电/工作电压3.46 V
加工封装描述14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
ccess_time_max7.5 ns
jesd_30_codeR-PQFP-G100
jesd_609_codee3
存储密度4.72E6 bi
内存IC类型CACHE SRAM
内存宽度36
moisture_sensitivity_level3
位数131072 words
位数128K
操作模式SYNCHRONOUS
组织128KX36
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_codeLQFP
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLATPACK, LOW PROFILE
串行并行PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_260
qualification_statusCOMMERCIAL
seated_height_max1.6 mm
表面贴装YES
工艺CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子涂层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子位置QUAD
ime_peak_reflow_temperature_max__s_30
length20 mm
width14 mm
dditional_featureFLOW-THROUGH ARCHITECTURE
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