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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFV064U
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IRFV064U

产品描述Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小216KB，共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRFV064U概述

Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA,

IRFV064U规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）620 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)45 A
最大漏极电流 (ID)45 A
最大漏源导通电阻0.017 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-258AA
JESD-30 代码R-XSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRFV064U相似产品对比

IRFV064U IRFV064UPBF IRFV064DPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA,
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code unknown compliant compliant
雪崩能效等级（Eas） 620 mJ 620 mJ 620 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 45 A 45 A 45 A
最大漏源导通电阻 0.017 Ω 0.017 Ω 0.017 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-258AA TO-258AA TO-258AA
JESD-30 代码 R-XSFM-P3 R-XSFM-P3 R-XSFM-P3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 400 A 400 A 400 A
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 -
包装说明 - FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3

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