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MG800J1US51

产品描述N channel igbt (high power switching, motor control applications)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小319KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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MG800J1US51概述

N channel igbt (high power switching, motor control applications)

MG800J1US51规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)800 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X5
元件数量1
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON

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