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2SA965

产品描述toshiba transistor silicon pnp epitaxial type (pct process)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小172KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA965概述

toshiba transistor silicon pnp epitaxial type (pct process)

2SA965规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-92
包装说明LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
基于收集器的最大容量40 pF
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)80
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.9 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1
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