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24LC128T-I/MSG

产品描述eeprom 16kx8 - 2.5V lead free package
产品类别存储    存储   
文件大小450KB,共26页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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24LC128T-I/MSG概述

eeprom 16kx8 - 2.5V lead free package

24LC128T-I/MSG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码MSOP
包装说明TSSOP, TSSOP8,.19
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性1000000 ERASE/WRITE CYCLES, HARDWARE WRITE PROTECT, DATA RETENTION > 200 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度3 mm
内存密度131072 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.19
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

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24AA128/24LC128/24FC128
128K I
2
C
CMOS Serial EEPROM
Device Selection Table
Part
Number
24AA128
24LC128
24FC128
Note 1:
2:
V
CC
Range
1.8-5.5V
2.5-5.5V
1.8-5.5V
Max. Clock
Frequency
400 kHz
(1)
400 kHz
1 MHz
(2)
Temp.
Ranges
I
I, E
I
Description
The Microchip Technology Inc. 24AA128/24LC128/
24FC128 (24XX128*) is a 16K x 8 (128 Kbit) Serial
Electrically Erasable PROM (EEPROM), capable of
operation across a broad voltage range (1.8V to 5.5V).
It has been developed for advanced, low-power
applications such as personal communications or data
acquisition. This device also has a page write capabil-
ity of up to 64 bytes of data. This device is capable of
both random and sequential reads up to the 128K
boundary. Functional address lines allow up to eight
devices on the same bus, for up to 1 Mbit address
space. This device is available in the standard 8-pin
plastic DIP, SOIC (150 and 208 mil), TSSOP, MSOP,
DFN and 14-lead TSSOP packages.
100 kHz for V
CC
< 2.5V.
400 kHz for V
CC
< 2.5V.
Features
• Low-power CMOS technology:
- Maximum write current 3 mA at 5.5V
- Maximum read current 400
µA
at 5.5V
- Standby current 100 nA typical at 5.5V
• 2-wire serial interface bus, I
2
C™ compatible
• Cascadable for up to eight devices
• Self-timed erase/write cycle
• 64-byte Page Write mode available
• 5 ms max write cycle time
• Hardware write-protect for entire array
• Output slope control to eliminate ground bounce
• Schmitt Trigger inputs for noise suppression
• 1,000,000 erase/write cycles
• Electrostatic discharge protection > 4000V
• Data retention > 200 years
• 8-pin PDIP, SOIC, TSSOP, MSOP and DFN
packages, 14-lead TSSOP package
• Standard and Pb-free finishes available
• Temperature ranges:
- Industrial (I):
-40°C to +85°C
- Automotive (E):
-40°C to +125°C
Block Diagram
A0 A1 A2 WP
HV Generator
I/O
C
ontrol
L
ogic
M
emory
C
ontrol
L
ogic
XDEC
EEPROM
Array
Page Latches
I/O
SCL
YDEC
SDA
V
CC
V
SS
Sense Amp.
R/W Control
Package Types
PDIP/SOIC
A0
A1
A2
V
SS
1
24XX128
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
A0
A1
A2
V
SS
TSSOP/MSOP *
1
24XX128
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
A0
A1
NC
NC
NC
A2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
TSSOP
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
WP
NC
NC
NC
SCL
SDA
A0
A1
A2
V
SS
1
24XX128
2
3
4
DFN
8 V
CC
7 WP
6 SCL
5 SDA
24XX128
Note: *
Pins A0 and A1 are no-connects for the MSOP package only.
*24XX128 is used in this document as a generic part number for the 24AA128/24LC128/24FC128 devices.
2004 Microchip Technology Inc.
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